RHS7J2H331J2K1H01B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RHS7J2H331J2K1H01B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RHS7J2H331J2K1H01B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RHS7J2H331J2K1H01B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RHS7J2H331J2K1H01B
- Part Number:
- RHS7J2H331J2K1H01B
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- CAP CER 330PF 500V UNJ RAD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32517 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.RHS7J2H331J2K1H01B.pdf2.RHS7J2H331J2K1H01B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 500V |
| Tolerancja: | ±5% |
| Grubość (maks): | - |
| Współczynnik temperaturowy: | UNJ |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.197" L x 0.124" W (5.00mm x 3.15mm) |
| Seria: | RHS |
| oceny: | AEC-Q200 |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 200°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Lead Style: | Formed Leads - Kinked |
| Główny odstęp: | 0.197" (5.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.236" (6.00mm) |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 330pF ±5% 500V Ceramic Capacitor UNJ Radial |
| Pojemność: | 330pF |
| Aplikacje: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RHS7J2H331J2K1H01B
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny