RG1608P-682-B-T5 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RG1608P-682-B-T5, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RG1608P-682-B-T5 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RG1608P-682-B-T5 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RG1608P-682-B-T5
- Part Number:
- RG1608P-682-B-T5
- Producent:
- Susumu
- Opis:
- RES SMD 6.8K OHM 0.1% 1/10W 0603
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30544 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RG1608P-682-B-T5.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 0.1W, 1/10W |
| Napięcie - Podział: | 0603 |
| Grubość (maks): | ±25ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Seria: | RG |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 0603 (1608 Metric) |
| Inne nazwy: | RG1608P682BT5 RG16P6.8KBTR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Numer części producenta: | RG1608P-682-B-T5 |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.020" (0.50mm) |
| cechy: | Automotive AEC-Q200 |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 6.8k Ohm ±0.1% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0603 (1608 Metric) Automotive AEC-Q200 Thin Film |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±0.1% |
| Opis: | RES SMD 6.8K OHM 0.1% 1/10W 0603 |
| Okładziny, Typ obudowy: | Thin Film |
| Pasmo: | 6.8k |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RG1608P-682-B-T5
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny