RDE03110S12 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RDE03110S12, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RDE03110S12 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RDE03110S12 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RDE03110S12
- Part Number:
- RDE03110S12
- Producent:
- XP Power
- Opis:
- DC DC CONVERTER 12V 3W
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44981 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RDE03110S12.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście 4: | - |
| Napięcie - Wyjście 3: | - |
| Napięcie - Wyjście 2: | - |
| Napięcie - Wyjście 1: | 12V |
| Napięcie - Izolacja: | 3kV |
| Napięcie - Wejście (Min): | 40V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 160V |
| Rodzaj: | Isolated Module |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.25" L x 0.80" W x 0.47" H (31.8mm x 20.3mm x 11.9mm) |
| Seria: | RDE03 |
| Moc (W): | 3W |
| Package / Case: | 24-DIP Module, 7 Leads |
| Inne nazwy: | 1470-4570 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (With Derating) |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | OCP, SCP, UVLO |
| Wydajność: | 84% |
| szczegółowy opis: | Isolated Module DC DC Converter 1 Output 12V 250mA 40V - 160V Input |
| Obecny - Wyjście (Max): | 250mA |
| Funkcje sterowania: | - |
| Aplikacje: | Railway |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RDE03110S12
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash