R1LP5256ESA-5SI#B0 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla R1LP5256ESA-5SI#B0, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla R1LP5256ESA-5SI#B0 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup R1LP5256ESA-5SI#B0 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
R1LP5256ESA-5SI#B0
- Part Number:
- R1LP5256ESA-5SI#B0
- Producent:
- Renesas Electronics America
- Opis:
- IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30414 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- R1LP5256ESA-5SI#B0.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 55ns |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | SRAM |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 28-TSOP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) |
| Inne nazwy: | R1LP5256ESA5SIB0 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 256Kb (32K x 8) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | SRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SRAM Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 55ns 28-TSOP |
| Podstawowy numer części: | R1LP5256E |
| Czas dostępu: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do R1LP5256ESA-5SI#B0
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny