QXK2J333KTP7FJ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla QXK2J333KTP7FJ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla QXK2J333KTP7FJ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup QXK2J333KTP7FJ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
QXK2J333KTP7FJ
- Part Number:
- QXK2J333KTP7FJ
- Producent:
- Nichicon
- Opis:
- CAP FILM 0.033UF 10% 630VDC RAD
- Wielkość zbiorów:
- 23655 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 630V |
| Napięcie znamionowe - AC: | 250V |
| Tolerancja: | ±10% |
| Zakończenie: | PC Pins |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.531" L x 0.232" W (13.50mm x 5.90mm) |
| Seria: | QXK |
| oceny: | - |
| Package / Case: | Radial |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Główny odstęp: | 0.394" (10.00mm) |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.654" (16.60mm) |
| cechy: | - |
| Materiał dielektryka: | Polyester, Metallized |
| szczegółowy opis: | 0.033µF Film Capacitor 250V 630V Polyester, Metallized Radial |
| Pojemność: | 0.033µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do QXK2J333KTP7FJ
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny