QVE11233 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla QVE11233, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla QVE11233 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup QVE11233 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
QVE11233
- Part Number:
- QVE11233
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- SENS OPTO SLOT 3.81MM TRANS THRU
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45893 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- QVE11233.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 30V |
| Rodzaj: | Unamplified |
| Seria: | - |
| Metoda pomiaru: | Transmissive |
| Zasięg: | 0.150" (3.81mm) |
| Czas odpowiedzi: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | Module, PC Pins, Slot Type |
| Konfiguracja wyjściowa: | Phototransistor |
| Inne nazwy: | QVE11233QT QVE11233QT-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Optical Sensor Transmissive 0.150" (3.81mm) Phototransistor Module, PC Pins, Slot Type |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do QVE11233
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny