Q6008LTH1LEDTP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla Q6008LTH1LEDTP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla Q6008LTH1LEDTP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup Q6008LTH1LEDTP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
Q6008LTH1LEDTP
- Part Number:
- Q6008LTH1LEDTP
- Producent:
- Hamlin / Littelfuse
- Opis:
- TRIAC INT TRIGGER 600V 8A TO220
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32438 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- Q6008LTH1LEDTP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 600V |
| triaka: | Internally Triggered |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220 Isolated Tab |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 Isolated Tab |
| Inne nazwy: | F7280 Q6008LTH1LEDTP-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 110°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | TRIAC Internally Triggered 600V 8A Through Hole TO-220 Isolated Tab |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 8A |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 80A, 85A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 6mA |
| Konfiguracja: | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do Q6008LTH1LEDTP
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash