PX3AF1BH010BSAAX jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PX3AF1BH010BSAAX, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PX3AF1BH010BSAAX przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PX3AF1BH010BSAAX z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PX3AF1BH010BSAAX
- Part Number:
- PX3AF1BH010BSAAX
- Opis:
- PRESSURE TRANSDUCER 10BAR UNF 7
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 33759 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Termination Style: | Connector |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Seria: | PX3 |
| Pressure Type: | Sealed Gauge |
| Styl portów: | Threaded |
| Port Rozmiar: | Female - 7/16" (11.11mm) UNF Schrader |
| Package / Case: | Cylinder |
| Typ wyjścia: | Analog Voltage |
| Wydajność: | 0.5 V ~ 4.5 V |
| Inne nazwy: | 480-6714 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Ciśnienie robocze: | 145.04 PSI (1000 kPa) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Maksymalne ciśnienie: | 449.62 PSI (3100 kPa) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 7 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| cechy: | Temperature Compensated |
| szczegółowy opis: | Pressure Sensor 145.04 PSI (1000 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF Schrader 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder |
| Precyzja: | ±1% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PX3AF1BH010BSAAX
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash