PWR221T-30-56R0F jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PWR221T-30-56R0F, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PWR221T-30-56R0F przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PWR221T-30-56R0F z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PWR221T-30-56R0F
- Part Number:
- PWR221T-30-56R0F
- Producent:
- Bourns, Inc.
- Opis:
- RES 56 OHM 30W 1% TO220
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25598 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PWR221T-30-56R0F.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±100ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220-2 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.410" L x 0.125" W (10.41mm x 3.18mm) |
| Seria: | PWR221T-30 |
| Tryb panel: | 56 Ohms |
| Moc (W): | 30W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-2 |
| temperatura robocza: | -50°C ~ 150°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.760" (19.30mm) |
| cechy: | Automotive AEC-Q200, Current Sense, Pulse Withstanding |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 56 Ohms ±1% 30W Through Hole Resistor TO-220-2 Automotive AEC-Q200, Current Sense, Pulse Withstanding Thick Film |
| Kompozycja: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PWR221T-30-56R0F
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny