PVI5013RS-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PVI5013RS-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PVI5013RS-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PVI5013RS-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PVI5013RS-T
- Part Number:
- PVI5013RS-T
- Opis:
- OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 42683 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PVI5013RS-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 8V |
| Napięcie - Izolacja: | 3750Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | - |
| Vce Nasycenie (Max): | - |
| Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ): | 5ms, 250µs (Max) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SMD |
| Seria: | PVI |
| Czas narastania / spadku (typ): | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SMD, Gull Wing |
| Typ wyjścia: | Photovoltaic |
| Inne nazwy: | *PVI5013RS-T |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba kanałów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ wejścia: | DC |
| szczegółowy opis: | Optoisolator Photovoltaic Output 3750Vrms 2 Channel 8-SMD |
| Obecny współczynnik przenikania (min): | - |
| Obecny współczynnik przenikania (Max): | - |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 1µA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PVI5013RS-T
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny