PTN5110NHQZ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PTN5110NHQZ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PTN5110NHQZ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PTN5110NHQZ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PTN5110NHQZ
- Part Number:
- PTN5110NHQZ
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- TYPE-C USB-PD PHY WITH TCPC FOR
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50323 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PTN5110NHQZ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-HX2QFN (2.6x2.6) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-XFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 568-13797-2 935351771147 PTN5110NHQZ-ND |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | I²C |
| szczegółowy opis: | USB Interface 16-HX2QFN (2.6x2.6) |
| Aplikacje: | USB |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PTN5110NHQZ
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny