PTB78560AAS jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PTB78560AAS, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PTB78560AAS przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PTB78560AAS z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PTB78560AAS
- Part Number:
- PTB78560AAS
- Producent:
- TI
- Opis:
- DC DC CONVERTER 3.6-5.5V 30W
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 48087 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PTB78560AAS.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście 3: | - |
| Napięcie - Wyjście 2: | - |
| Napięcie - Wyjście 1: | 3.6 ~ 5.5 V |
| Napięcie - Izolacja: | 1.5kV |
| Napięcie - Wejście (Min): | 18V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 60V |
| Rodzaj: | Isolated Module |
| Rozmiar / Wymiar: | 2.04" L x 1.04" W x 0.40" H (51.8mm x 26.5mm x 10.3mm) |
| Seria: | PTB78560 |
| Moc (W): | 30W |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 11-SMD Module |
| Inne nazwy: | 296-20358 PTB78560AAS-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| cechy: | Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO |
| Wydajność: | 83% |
| szczegółowy opis: | Isolated Module DC DC Converter 1 Output 3.6 ~ 5.5 V 6A 18V - 60V Input |
| Obecny - Wyjście (Max): | 6A |
| Podstawowy numer części: | PTB78560A |
| Aplikacje: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PTB78560AAS
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC