PR2512FKE7W0R03Z jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PR2512FKE7W0R03Z, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PR2512FKE7W0R03Z przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PR2512FKE7W0R03Z z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PR2512FKE7W0R03Z
- Part Number:
- PR2512FKE7W0R03Z
- Producent:
- Yageo
- Opis:
- RES SMD 0.03 OHM 1% 2W 2512
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57701 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.PR2512FKE7W0R03Z.pdf2.PR2512FKE7W0R03Z.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 2W |
| Napięcie - Podział: | 2512 |
| Grubość (maks): | ±50ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.252" L x 0.126" W (6.40mm x 3.20mm) |
| Seria: | PR |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 2512 (6432 Metric) |
| Inne nazwy: | 0.03PDTR 0.03PDTR-ND 311-0.03PDTR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 170°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 24 Weeks |
| Numer części producenta: | PR2512FKE7W0R03Z |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.041" (1.03mm) |
| cechy: | Current Sense |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 0.03 Ohm ±1% 2W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Current Sense Thick Film |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±1% |
| Opis: | RES SMD 0.03 OHM 1% 2W 2512 |
| Okładziny, Typ obudowy: | Thick Film |
| Pasmo: | 0.03 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PR2512FKE7W0R03Z
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash