PMEG045T100EPDZ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PMEG045T100EPDZ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PMEG045T100EPDZ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PMEG045T100EPDZ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PMEG045T100EPDZ
- Part Number:
- PMEG045T100EPDZ
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 45V 14A CFP15
- Wielkość zbiorów:
- 48978 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PMEG045T100EPDZ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 480mV @ 10A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 45V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | CFP15 |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 40ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-277, 3-PowerDFN |
| Inne nazwy: | 1727-8326-2 934068776146 PMEG045T100EPDZ-ND |
| Temperatura pracy - złącze: | 175°C (Max) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Typ diody: | Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Schottky 45V 14A (DC) Surface Mount CFP15 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 80µA @ 45V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 14A (DC) |
| Pojemność @ VR F: | 1.4pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PMEG045T100EPDZ
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny