PM1210-5R6J jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PM1210-5R6J, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PM1210-5R6J przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PM1210-5R6J z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PM1210-5R6J
- Part Number:
- PM1210-5R6J
- Producent:
- Bourns, Inc.
- Opis:
- FIXED IND 5.6UH 200MA 1.8 OHM
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 52572 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PM1210-5R6J.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1210 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | PM1210 |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 30 @ 7.96MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1210 (3225 Metric) |
| Inne nazwy: | M6114TR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 7.96MHz |
| Indukcyjność: | 5.6µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.087" (2.20mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 47MHz |
| szczegółowy opis: | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.8 Ohm Max 1210 (3225 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 1.8 Ohm Max |
| Aktualna ocena: | 200mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PM1210-5R6J
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny