PLE0E102MDO1TD jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PLE0E102MDO1TD, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PLE0E102MDO1TD przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PLE0E102MDO1TD z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PLE0E102MDO1TD
- Part Number:
- PLE0E102MDO1TD
- Producent:
- Nichicon
- Opis:
- CAP ALUM POLY 1000UF 2.5V T/H
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47193 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.PLE0E102MDO1TD.pdf2.PLE0E102MDO1TD.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 2.5V |
| Rodzaj: | Polymer |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| Seria: | PLE |
| Ripple Current @ High Frequency: | 7.1A @ 100kHz |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | Radial, Can |
| Inne nazwy: | 493-14065-2 493-14065-2-ND 493-14065-3 PLE0E102MDO1TD-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 17 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| Główny odstęp: | 0.197" (5.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.512" (13.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 5 mOhm |
| szczegółowy opis: | 1000µF 2.5V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can 5 mOhm 2000 Hrs @ 105°C |
| Pojemność: | 1000µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PLE0E102MDO1TD
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash