PL9404NLT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PL9404NLT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PL9404NLT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PL9404NLT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PL9404NLT
- Part Number:
- PL9404NLT
- Producent:
- Pulse Electronics Corporation
- Opis:
- IND PWR 3.3UH 5.1ADC S NPB
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41699 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PL9404NLT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | - |
| Tolerancja: | ±30% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.410" L x 0.410" W (10.41mm x 10.41mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | PL94XX |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 130°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Indukcyjność: | 3.3µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.132" (3.35mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 3.3µH Shielded Inductor 4.8A 15.6 mOhm Max Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 15.6 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 4.8A |
| Obecny - Nasycenie: | 4.8A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PL9404NLT
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny