PEF 20451 E V1.3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PEF 20451 E V1.3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PEF 20451 E V1.3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PEF 20451 E V1.3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PEF 20451 E V1.3
- Part Number:
- PEF 20451 E V1.3
- Opis:
- IC HTSI SWITCHING BGA-217
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 34194 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PEF 20451 E V1.3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3.13 V ~ 3.47 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 217-BGA (23x23) |
| Seria: | SWITI |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 217-BGA |
| Inne nazwy: | PEF 20451 E V1.3-ND PEF20451EV1.3 SP000007612 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Berło: | PCM, PLL |
| zawiera: | Clock Shift, Data Rate Adaption, Multipoint Switching |
| Funkcjonować: | Switching IC |
| szczegółowy opis: | Telecom IC Switching IC 217-BGA (23x23) |
| Obecny - Dostawa: | 200mA |
| Podstawowy numer części: | PEF20451 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PEF 20451 E V1.3
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC