PD55025TR-E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PD55025TR-E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PD55025TR-E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PD55025TR-E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PD55025TR-E
- Part Number:
- PD55025TR-E
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34363 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PD55025TR-E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 12.5V |
| Napięcie - znamionowe: | 40V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 25W |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| Inne nazwy: | 497-12510-6 |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 25 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 14.5dB |
| Częstotliwość: | 500MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS 12.5V 200mA 500MHz 14.5dB 25W PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Aktualna ocena: | 7A |
| Obecny - Test: | 200mA |
| Podstawowy numer części: | PD55025 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PD55025TR-E
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash