PBS-RP160SN1SS0BMA0Z jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PBS-RP160SN1SS0BMA0Z, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PBS-RP160SN1SS0BMA0Z przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PBS-RP160SN1SS0BMA0Z z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PBS-RP160SN1SS0BMA0Z
- Part Number:
- PBS-RP160SN1SS0BMA0Z
- Producent:
- SICK
- Opis:
- PRESSURE TRANS 0-160 PSI
- Wielkość zbiorów:
- 48072 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PBS-RP160SN1SS0BMA0Z.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 15 V ~ 35 V |
| Termination Style: | Connector |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Seria: | - |
| Pressure Type: | Gauge |
| Styl portów: | Threaded |
| Port Rozmiar: | Female - 1/4" (6.35mm) NPT |
| Package / Case: | Module |
| Wydajność: | 4 mA ~ 20 mA |
| Inne nazwy: | 1882-1341 6050309 |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 80°C |
| Ciśnienie robocze: | 15 PSI (103.42 kPa) |
| Maksymalne ciśnienie: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 3 Weeks |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Gauge Female - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Module |
| Precyzja: | 1% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PBS-RP160SN1SS0BMA0Z
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC