PBRC-12.00BR07 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PBRC-12.00BR07, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PBRC-12.00BR07 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PBRC-12.00BR07 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PBRC-12.00BR07
- Part Number:
- PBRC-12.00BR07
- Producent:
- AVX Corporation
- Opis:
- CER RES 12.0000MHZ 10PF SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57607 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PBRC-12.00BR07.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Ceramic |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.291" L x 0.134" W (7.40mm x 3.40mm) |
| Seria: | PBRC-B, Kyocera |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 3-SMD, Non-Standard |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 80°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja: | 150 Ohms |
| Wysokość: | 0.091" (2.30mm) |
| częstotliwość Tolerancja: | ±0.7% |
| Stabilność częstotliwości: | ±0.1% |
| Częstotliwość: | 12MHz |
| cechy: | Built in Capacitor |
| szczegółowy opis: | 12MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 10pF ±0.1% 150 Ohms -20°C ~ 80°C Surface Mount |
| Pojemność: | 10pF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PBRC-12.00BR07
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash