P1330R-103K jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla P1330R-103K, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla P1330R-103K przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup P1330R-103K z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
P1330R-103K
- Part Number:
- P1330R-103K
- Producent:
- API Delevan
- Opis:
- FIXED IND 10UH 946MA 216 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44246 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- P1330R-103K.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | - |
| Stosowanie: | Unshielded |
| Rodzaj: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.312" L x 0.115" W (7.94mm x 2.92mm) |
| Seria: | P1330R |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | DN7856TR P1330R-103K TR 500 P1330R103K |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | P1330R-103K |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.145" (3.68mm) |
| typ sprzętu: | 10µH |
| Częstotliwość - Test: | - |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 216 mOhm Max |
| Rozszerzony opis: | 10µH Unshielded Inductor 946mA 216 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±10% |
| Średnica - ramię: | - |
| Opis: | FIXED IND 10UH 946MA 216 MOHM |
| Czas zwłoki: | 1kHz |
| DC Resistance (DCR): | 564mA |
| Aktualna ocena: | 946mA |
| Obecny - Nasycenie: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do P1330R-103K
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia