P0398NL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla P0398NL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla P0398NL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup P0398NL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
P0398NL
- Part Number:
- P0398NL
- Producent:
- Pulse Electronics Corporation
- Opis:
- INDUCT ARRAY 2 COIL 7.9UH SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55674 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- P0398NL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±20% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.715" L x 0.590" W (18.16mm x 14.99mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | Tomcat |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 553-1784-5 P0398NL-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 130°C |
| Liczba zwojów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Indukcyjność - połączone szeregowo: | 31.5µH |
| Indukcyjność - połączone równolegle: | 7.9µH |
| Wysokość: | 0.310" (7.87mm) |
| szczegółowy opis: | Unshielded 2 Coil Inductor Array 31.5µH Inductance - Connected in Series 7.9µH Inductance - Connected in Parallel 14.94 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 6.8A Nonstandard |
| Oporność DC (DCR) - Seria: | 59.7 mOhm |
| Opór DC (DCR) - równoległy: | 14.94 mOhm |
| Current Rating - Seria: | 3.4A |
| Współczynnik natężenia prądu - równoległy: | 6.8A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do P0398NL
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC