OHN3030U jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla OHN3030U, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla OHN3030U przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup OHN3030U z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
OHN3030U
- Part Number:
- OHN3030U
- Producent:
- Optek Technology / TT Electronics
- Opis:
- MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR TO92-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35905 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- OHN3030U.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 24 V |
| Stan testu: | 25°C |
| Technologia: | Hall Effect |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-92-3 |
| Seria: | OHN3000 |
| Zakres pomiarowy: | 25mT Trip, 0mT Release |
| Polaryzacja: | South Pole |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | 3-SSIP |
| Typ wyjścia: | Open Collector |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 85°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Unipolar Switch |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Digital Switch Unipolar Switch Open Collector Hall Effect TO-92-3 |
| Obecny - Dostawa (Max): | 7mA |
| Obecny - Wyjście (Max): | 25mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do OHN3030U
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny