NVMFD5C478NLWFT1G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NVMFD5C478NLWFT1G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NVMFD5C478NLWFT1G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NVMFD5C478NLWFT1G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NVMFD5C478NLWFT1G
- Part Number:
- NVMFD5C478NLWFT1G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
- Wielkość zbiorów:
- 43805 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NVMFD5C478NLWFT1G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 20µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 14.5 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Moc - Max: | 3.1W (Ta), 23W (Tc) |
| Package / Case: | 8-PowerTDFN |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 50 Weeks |
| Status bezołowiowy: | Lead free |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 420pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 8.1nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Cecha FET: | Standard |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 40V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 10.5A (Ta), 29A (Tc) 3.1W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 10.5A (Ta), 29A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NVMFD5C478NLWFT1G
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC