NUF4001MUT2G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NUF4001MUT2G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NUF4001MUT2G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NUF4001MUT2G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NUF4001MUT2G
- Part Number:
- NUF4001MUT2G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- FILTER RC(PI) 100 OHM/13PF SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37070 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NUF4001MUT2G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | - |
| wartości: | R = 100 Ohms, C = 13pF |
| Rodzaj: | Low Pass |
| Technologia: | RC (Pi) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.071" L x 0.047" W (1.80mm x 1.20mm) |
| Seria: | - |
| Resistance - Kanał (Ohm): | 100 |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 8-UFDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | NUF4001MUT2GOSCT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba kanałów: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość: | 0.022" (0.55mm) |
| filtr Kolejność: | 2nd |
| Ochrona ESD: | Yes |
| szczegółowy opis: | RC (Pi) EMI Filter 2nd Order Low Pass 4 Channel R = 100 Ohms, C = 13pF 8-UFDFN Exposed Pad |
| Center / częstotliwość graniczna filtru: | 150MHz (Cutoff) |
| tłumienie Wartość: | -25dB @ 800MHz ~ 5GHz |
| Aplikacje: | Data Lines for Mobile Devices |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NUF4001MUT2G
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC