NTGD1100LT1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NTGD1100LT1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NTGD1100LT1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NTGD1100LT1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NTGD1100LT1
- Part Number:
- NTGD1100LT1
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- MOSFET N-CHAN 3.3A 8V TSOP6
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 32585 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NTGD1100LT1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | - |
| Napięcie - Obciążenie: | 1.8 V ~ 8 V |
| Typ przełącznika: | General Purpose |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-TSOP |
| Seria: | - |
| Rds On (Typ): | 40 mOhm |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 1:1 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Typ wyjścia: | P-Channel |
| Konfiguracja wyjściowa: | High Side |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Berło: | On/Off |
| Typ wejścia: | - |
| cechy: | - |
| Ochrona usterek: | - |
| Obecny - Wyjście (Max): | 3.3A |
| Podstawowy numer części: | NTGD1100L |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NTGD1100LT1
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny