NTCS05605E3333JHT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NTCS05605E3333JHT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NTCS05605E3333JHT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NTCS05605E3333JHT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NTCS05605E3333JHT
- Part Number:
- NTCS05605E3333JHT
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- THERMISTOR NTC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40221 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NTCS05605E3333JHT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Seria: | - |
| Odporność na Ohm @ 25 ° C: | - |
| Tolerancja rezystancji: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | - |
| Inne nazwy: | BC2543TR |
| temperatura robocza: | - |
| Rodzaj mocowania: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 21 Weeks |
| Długość - Drut Ołowiany: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | NTC Thermistor |
| B25 / 85: | - |
| B25 / 75: | - |
| B25 / 50: | - |
| B25 / 100: | - |
| B0 / 50: | - |
| B Wartość Tolerancja: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NTCS05605E3333JHT
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC