NRS2012T1R5NGJ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NRS2012T1R5NGJ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NRS2012T1R5NGJ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NRS2012T1R5NGJ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NRS2012T1R5NGJ
- Part Number:
- NRS2012T1R5NGJ
- Producent:
- Taiyo Yuden
- Opis:
- FIXED IND 1.5UH 1.5A 90 MOHM SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24378 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.NRS2012T1R5NGJ.pdf2.NRS2012T1R5NGJ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | - |
| Stosowanie: | Shielded |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
| Seria: | NRS |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 587-3449-2 LM NRS2012T 1R5N GJ |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 120°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | NRS2012T1R5NGJ |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| typ sprzętu: | 1.5µH |
| Częstotliwość - Test: | - |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 90 mOhm |
| Rozszerzony opis: | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 90 mOhm Nonstandard |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±30% |
| Średnica - ramię: | - |
| Opis: | FIXED IND 1.5UH 1.5A 90 MOHM SMD |
| Czas zwłoki: | 100kHz |
| DC Resistance (DCR): | 1.65A |
| Aktualna ocena: | 1.5A |
| Obecny - Nasycenie: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NRS2012T1R5NGJ
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego