NLVVHC1GT125DF2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NLVVHC1GT125DF2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NLVVHC1GT125DF2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NLVVHC1GT125DF2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NLVVHC1GT125DF2
- Part Number:
- NLVVHC1GT125DF2
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SC88A
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 59832 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NLVVHC1GT125DF2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Typ wyjścia: | 3-State |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Logic Type: | Buffer, Non-Inverting |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ wejścia: | - |
| szczegółowy opis: | Buffer, Non-Inverting 1 Element 1 Bit per Element 3-State Output SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 8mA, 8mA |
| Podstawowy numer części: | 74VHC1G125 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NLVVHC1GT125DF2
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny