NLHV4157NDFT2G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NLHV4157NDFT2G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NLHV4157NDFT2G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NLHV4157NDFT2G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NLHV4157NDFT2G
- Part Number:
- NLHV4157NDFT2G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- NEGATIVE VOLTAGE SPDT SWITCH
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34550 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NLHV4157NDFT2G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze (V +): | -12 V ~ -4 V |
| Napięcie - Zasilanie, Podwójne (V ±): | - |
| Przełącznik: | SPDT |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Inne nazwy: | NLHV4157NDFT2GOSCT |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Oporność na terenie (maks.): | 5 Ohm |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Obwód multipleksera / demultipleksera: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 29 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Switch IC 1 Channel SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Aplikacje: | - |
| 3dB Pasmo: | 200MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NLHV4157NDFT2G
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash