NIS6201DR2G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NIS6201DR2G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NIS6201DR2G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NIS6201DR2G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NIS6201DR2G
- Part Number:
- NIS6201DR2G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC REG SWTCHD CAP RATIO 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42060 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NIS6201DR2G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 2Vin |
| Napięcie - Wyjście (Max): | - |
| Napięcie - Wejście (Min): | 7V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 15V |
| topologia: | Charge Pump |
| synchroniczny prostownik: | No |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | Fixed |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Ratiometric |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 1.3MHz |
| szczegółowy opis: | Charge Pump Switching Regulator IC Positive Fixed 2Vin 1 Output 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Obecny - Wyjście: | - |
| Podstawowy numer części: | NIS6201 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NIS6201DR2G
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny