NGTB40N120FL3WG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NGTB40N120FL3WG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NGTB40N120FL3WG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NGTB40N120FL3WG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NGTB40N120FL3WG
- Part Number:
- NGTB40N120FL3WG
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IGBT 1200V 160A TO247
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44377 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NGTB40N120FL3WG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.3V @ 15V, 40A |
| Stan testu: | 600V, 40A, 10 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 18ns/145ns |
| Przełączanie Energy: | 1.6mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-247-3 |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 136ns |
| Moc - Max: | 454W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Inne nazwy: | NGTB40N120FL3WGOS |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 39 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | Trench Field Stop |
| brama Charge: | 212nC |
| szczegółowy opis: | IGBT Trench Field Stop 1200V 160A 454W Through Hole TO-247-3 |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 160A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 160A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NGTB40N120FL3WG
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025