NFM31KC103R2A3L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NFM31KC103R2A3L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NFM31KC103R2A3L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NFM31KC103R2A3L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NFM31KC103R2A3L
- Part Number:
- NFM31KC103R2A3L
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- CAP FEEDTHRU 0.01UF 100V 1206
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49580 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.NFM31KC103R2A3L.pdf2.NFM31KC103R2A3L.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 100V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Rozmiar wątku: | - |
| Współczynnik temperaturowy: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Seria: | EMIFIL®, NFM31 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Insertion Loss: | - |
| Wysokość (max): | 0.059" (1.50mm) |
| szczegółowy opis: | 10000pF Feed Through Capacitor 100V 10A 1.5 mOhm 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 1.5 mOhm |
| Aktualny, bieżący: | 10A |
| Pojemność: | 10000pF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NFM31KC103R2A3L
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash