NE5517N jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NE5517N, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NE5517N przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NE5517N z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NE5517N
- Part Number:
- NE5517N
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC OPAMP TRANSCOND 2MHZ 16DIP
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 49588 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NE5517N.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 4 V ~ 44 V, ±2 V ~ 22 V |
| Napięcie - Wejście offset: | 400µV |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-DIP |
| Szybkość narastania: | 50 V/µs |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Typ wyjścia: | Push-Pull |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C |
| Liczba obwodów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Zysk Bandwidth Product: | 2MHz |
| szczegółowy opis: | Transconductance Amplifier 2 Circuit Push-Pull 16-DIP |
| Obecny - Dostawa: | 2.6mA |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 650µA |
| Obecny - diagonalna wejściowe: | 400nA |
| Podstawowy numer części: | NE5517 |
| Amplifier Type: | Transconductance |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NE5517N
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash