NCX2202GW,125 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NCX2202GW,125, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NCX2202GW,125 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NCX2202GW,125 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NCX2202GW,125
- Part Number:
- NCX2202GW,125
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC COMPARATOR LOW VOLTAGE 5TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55261 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NCX2202GW,125.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 1.3 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Wejście offset (Max): | 30mV @ 5.5V |
| Rodzaj: | General Purpose |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 5-TSSOP |
| Seria: | - |
| Opóźnienie propagacji (Max): | 0.8µs |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Typ wyjścia: | Rail-to-Rail |
| Inne nazwy: | 568-12365-1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Ilość elementów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 7 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Histereza: | 20mV |
| szczegółowy opis: | Comparator General Purpose Rail-to-Rail 5-TSSOP |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 6µA |
| Obecny - Wyjście (Typ): | - |
| Obecny - Wejście diagonalna (Max): | 1pA |
| CMRR, PSRR (Typ): | 70dB CMRR, 80dB PSRR |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NCX2202GW,125
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny