NCP1393BDR2G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NCP1393BDR2G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NCP1393BDR2G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NCP1393BDR2G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NCP1393BDR2G
- Part Number:
- NCP1393BDR2G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC HALF BRIDGE DVR HV OSC 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52356 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NCP1393BDR2G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 16V |
| Napięcie - Obciążenie: | 16V |
| Technologia: | Power MOSFET |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Seria: | - |
| Rds On (Typ): | 5 mOhm LS, 12 mOhm HS |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Konfiguracja wyjściowa: | Half Bridge (2) |
| Inne nazwy: | NCP1393BDR2G-ND NCP1393BDR2GOSTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ obciążenia: | Inductive, Capacitive, Resistive |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | On/Off |
| cechy: | Bootstrap Circuit, Internal Oscillator |
| Ochrona usterek: | Shoot-Through |
| szczegółowy opis: | Half Bridge (2) Driver AC Loads, Bulbs, General Purpose Power MOSFET 8-SOIC |
| Obecny - Szczytowa wydajność: | 1A |
| Obecny - Wyjście / Channel: | - |
| Podstawowy numer części: | NCP1393 |
| Aplikacje: | AC Loads, Bulbs, General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NCP1393BDR2G
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025