NC7SZ08M5X jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NC7SZ08M5X, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NC7SZ08M5X przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NC7SZ08M5X z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NC7SZ08M5X
- Part Number:
- NC7SZ08M5X
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC GATE AND 1CH 2-INP SOT23-5
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48738 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NC7SZ08M5X.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-5 |
| Seria: | 7SZ |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | SC-74A, SOT-753 |
| Inne nazwy: | NC7SZ08M5XDKR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wejść: | 2 |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 4.5ns @ 5V, 50pF |
| Logic Type: | AND Gate |
| Poziom Logic - Niska: | - |
| Poziom Logic - Wysoka: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | AND Gate IC 1 Channel SOT-23-5 |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 2µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 32mA, 32mA |
| Podstawowy numer części: | 7SZ08 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NC7SZ08M5X
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash