NC4EBD-JP-DC110V jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NC4EBD-JP-DC110V, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NC4EBD-JP-DC110V przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NC4EBD-JP-DC110V z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NC4EBD-JP-DC110V
- Part Number:
- NC4EBD-JP-DC110V
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 110V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39320 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NC4EBD-JP-DC110V.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 88 VDC |
| Wyłącz napięcie (Min): | 11 VDC |
| Termination Style: | PC Pin |
| przełączanie napięcia: | 250VAC - Max |
| Seria: | NC |
| Czas Release: | 10ms |
| Relay Type: | General Purpose |
| Opakowania: | Tube |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 55°C |
| Czas zadziałania: | 20ms |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Sealed - Amber |
| szczegółowy opis: | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) 110VDC Coil Through Hole |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 5A |
| Materiał styków: | Silver Nickel (AgNi) |
| Formularz kontaktowy: | 4PDT (4 Form C) |
| Napięcie cewki: | 110VDC |
| Coil Type: | Non Latching |
| Coil Resistance: | 13.5 kOhms |
| cewka zasilania: | 900 mW |
| Aktualny Coil: | 8.2mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NC4EBD-JP-DC110V
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny