NBPDPNS150PAUNV jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NBPDPNS150PAUNV, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NBPDPNS150PAUNV przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NBPDPNS150PAUNV z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NBPDPNS150PAUNV
- Part Number:
- NBPDPNS150PAUNV
- Opis:
- BRD MNT PRESSURE SENSORS
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44657 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.8 V ~ 12 V |
| Termination Style: | PC Pin |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Seria: | NBP |
| Pressure Type: | Absolute |
| Styl portów: | No Port |
| Port Rozmiar: | - |
| Package / Case: | 4-DIP (0.453", 11.50mm), Top Port |
| Typ wyjścia: | Wheatstone Bridge |
| Wydajność: | 0 mV ~ 130 mV (5V) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Ciśnienie robocze: | 150 PSI (1034.21 kPa) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Maksymalne ciśnienie: | 240 PSI (1654.74 kPa) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Pressure Sensor 150 PSI (1034.21 kPa) Absolute 0 mV ~ 130 mV (5V) 4-DIP (0.453", 11.50mm), Top Port |
| Precyzja: | ±0.25% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NBPDPNS150PAUNV
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash