NB6L11DR2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NB6L11DR2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NB6L11DR2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NB6L11DR2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NB6L11DR2
- Part Number:
- NB6L11DR2
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC CLK BUFFER 1:2 6GHZ 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 27310 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NB6L11DR2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.375 V ~ 3.465 V |
| Rodzaj: | Fanout Buffer (Distribution), Translator |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Seria: | - |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 1:2 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Wydajność: | ECL |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wkład: | CML, LVCMOS, LVDS, LVNECL, LVPECL, LVTTL |
| Częstotliwość - Max: | 6GHz |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | Yes/Yes |
| szczegółowy opis: | Clock Fanout Buffer (Distribution), Translator IC 1:2 6GHz 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Podstawowy numer części: | NB6L11 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NB6L11DR2
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash