NB2308AI5HDTG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NB2308AI5HDTG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NB2308AI5HDTG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NB2308AI5HDTG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NB2308AI5HDTG
- Part Number:
- NB2308AI5HDTG
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC BUFFER CLK 8OUT 3.3V 16-TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48112 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NB2308AI5HDTG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | Zero Delay Buffer |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-TSSOP |
| Seria: | - |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 1:8 |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| PLL: | Yes with Bypass |
| Wydajność: | Clock |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | Clock |
| Częstotliwość - Max: | 133.3MHz |
| Przegroda / Mnożnik: | Yes/No |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | No/No |
| Podstawowy numer części: | NB2308A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NB2308AI5HDTG
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe