N25Q008A11EF640F TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla N25Q008A11EF640F TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla N25Q008A11EF640F TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup N25Q008A11EF640F TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
N25Q008A11EF640F TR
- Part Number:
- N25Q008A11EF640F TR
- Producent:
- Micron Technology
- Opis:
- IC FLASH NOR 2MX4 VPDFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40741 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- N25Q008A11EF640F TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| standardy: | Non-Volatile |
| Oprogramowanie: | 8Mb (1M x 8) |
| Shell Style: | 1.7 V ~ 2 V |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 108MHz |
| Izolacja wyjście: | FLASH |
| Inne nazwy: | N25Q008A11EF640F |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | N25Q008A11EF640F TR |
| Berło: | SPI Serial |
| Opis: | IC FLASH NOR 2MX4 VPDFN |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do N25Q008A11EF640F TR
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny