N01S830BAT22IT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla N01S830BAT22IT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla N01S830BAT22IT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup N01S830BAT22IT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
N01S830BAT22IT
- Part Number:
- N01S830BAT22IT
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54054 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- N01S830BAT22IT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 2.5 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | SRAM |
| Seria: | - |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 1Mb (128K x 8) |
| Interfejs pamięci: | SPI |
| Format pamięci: | SRAM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SRAM Memory IC 1Mb (128K x 8) SPI 20MHz |
| Częstotliwość zegara: | 20MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do N01S830BAT22IT
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny