MVE10VC221MF80TP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MVE10VC221MF80TP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MVE10VC221MF80TP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MVE10VC221MF80TP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MVE10VC221MF80TP
- Part Number:
- MVE10VC221MF80TP
- Producent:
- Nippon Chemi-Con
- Opis:
- CAP ALUM 220UF 20% 10V SMD
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 59949 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MVE10VC221MF80TP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 10V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | 0.260" L x 0.260" W (6.60mm x 6.60mm) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.248" Dia (6.30mm) |
| Seria: | MVE |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 120mA @ 120Hz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Radial, Can - SMD |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Żywotność @ Temp.: | 1000 Hrs @ 105°C |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.303" (7.70mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 2.637 Ohm @ 120Hz |
| szczegółowy opis: | 220µF 10V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - SMD 2.637 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C |
| Pojemność: | 220µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MVE10VC221MF80TP
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC