MUR120/54 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MUR120/54, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MUR120/54 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MUR120/54 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MUR120/54
- Part Number:
- MUR120/54
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 55783 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MUR120/54.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 875mV @ 1A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 200V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-204AC (DO-15) |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 35ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | DO-204AC, DO-15, Axial |
| Inne nazwy: | MUR120 MUR120-ND MUR120/4 MUR120/4-ND |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-204AC (DO-15) |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 2µA @ 200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 1A |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Podstawowy numer części: | MUR120 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MUR120/54
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe