MT46V128M4FN-6:D TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MT46V128M4FN-6:D TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MT46V128M4FN-6:D TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MT46V128M4FN-6:D TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MT46V128M4FN-6:D TR
- Part Number:
- MT46V128M4FN-6:D TR
- Producent:
- Micron Technology
- Opis:
- IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 38804 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MT46V128M4FN-6:D TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 15ns |
| Napięcie - Dostawa: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| Technologia: | SDRAM - DDR |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 60-FBGA (10x12.5) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 60-TFBGA |
| Inne nazwy: | 557-1012-1 MT46V128M4FN6DTR |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 5 (48 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 512Mb (128M x 4) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | DRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 167MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5) |
| Częstotliwość zegara: | 167MHz |
| Podstawowy numer części: | MT46V128M4 |
| Czas dostępu: | 700ps |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MT46V128M4FN-6:D TR
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC