MT44K16M36RB-093E IT:B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MT44K16M36RB-093E IT:B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MT44K16M36RB-093E IT:B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MT44K16M36RB-093E IT:B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MT44K16M36RB-093E IT:B
- Part Number:
- MT44K16M36RB-093E IT:B
- Producent:
- Micron Technology
- Opis:
- IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22968 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MT44K16M36RB-093E IT:B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 1.28 V ~ 1.42 V |
| Technologia: | DRAM |
| Seria: | - |
| Inne nazwy: | MT44K16M36RB-093E IT:B-ND MT44K16M36RB-093EIT:B |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 576Mb (16M x 36) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | DRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | DRAM Memory IC 576Mb (16M x 36) Parallel 1067MHz 8ns |
| Częstotliwość zegara: | 1067MHz |
| Czas dostępu: | 8ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MT44K16M36RB-093E IT:B
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC