MT41K256M4JP-15E:G TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MT41K256M4JP-15E:G TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MT41K256M4JP-15E:G TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MT41K256M4JP-15E:G TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MT41K256M4JP-15E:G TR
- Part Number:
- MT41K256M4JP-15E:G TR
- Producent:
- Micron Technology
- Opis:
- IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42491 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.MT41K256M4JP-15E:G TR.pdf2.MT41K256M4JP-15E:G TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 1.283 V ~ 1.45 V |
| Technologia: | SDRAM - DDR3 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 78-FBGA (8x11.5) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 78-TFBGA |
| Inne nazwy: | MT41K256M4JP-15E:G TR-ND MT41K256M4JP-15E:GTR |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 1Gb (256M x 4) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | DRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (256M x 4) Parallel 667MHz 13.5ns 78-FBGA (8x11.5) |
| Częstotliwość zegara: | 667MHz |
| Podstawowy numer części: | MT41K256M4 |
| Czas dostępu: | 13.5ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MT41K256M4JP-15E:G TR
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny