MRF6S21100HSR5 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MRF6S21100HSR5, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MRF6S21100HSR5 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MRF6S21100HSR5 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MRF6S21100HSR5
- Part Number:
- MRF6S21100HSR5
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- FET RF 68V 2.17GHZ NI-780S
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55581 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MRF6S21100HSR5.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 28V |
| Napięcie - znamionowe: | 68V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | NI-780S |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 23W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | NI-780S |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 15.9dB |
| Częstotliwość: | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 15.9dB 23W NI-780S |
| Aktualna ocena: | - |
| Obecny - Test: | 950mA |
| Podstawowy numer części: | MRF6S21100 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MRF6S21100HSR5
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny